RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
56
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2524
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link