RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3389
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GSL 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link