RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
49
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2623
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link