RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
64
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
2562
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link