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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
64
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
3000
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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