RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
50
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
3081
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link