RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2931
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link