RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3832
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link