RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2984
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link