RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3396
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link