RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
63
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
2061
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link