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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
71
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
1767
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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