RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
41
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2769
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link