RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
15.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3716
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link