RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
59
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2633
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link