RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
16.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3908
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link