RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
63
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,583.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,895.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,583.7
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
639
2808
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link