RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
63
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2237
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link