RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
63
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3222
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link