RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2497
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link