RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
50
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3105
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link