RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
53
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3614
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link