RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
96
Rund um -300% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2517
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link