RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
74
96
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
1825
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link