RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
3518
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link