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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
64
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
64
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2097
2197
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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