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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
38
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
38
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2771
2404
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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