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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3019
3199
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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