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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
56
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2701
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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