RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
56
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
2701
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link