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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2126
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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