RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
52
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2611
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link