RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
4200
En 5.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
23400
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3419
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link