RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
66
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3935
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link