RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
53
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2440
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link