RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2945
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link