RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
3429
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link