RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MID 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2338
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link