RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
62
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1586
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link