RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3564
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link