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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2336
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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