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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
28
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
28
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2663
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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