Comparación de la memoria RAM Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Puntuación global

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 52

En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.9 10.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 18.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3236 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns