RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
85
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
85
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
1118
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link