RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2636
2987
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link