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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3673
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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