RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2837
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link