RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3273
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link