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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2629
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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