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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2308
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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