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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
40
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
1764
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
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